规格书 |
P33 StrataFlash Embedded Memory |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1,800 |
格式 - 记忆 | FLASH |
Memory 型 | FLASH - Nor |
内存大小 | 128M (8Mx16) |
速度 | 85ns |
接口 | Parallel (Byte-wide) |
- 电源电压 | 2.3 V ~ 3.6 V |
操作温度 | -40°C ~ 85°C |
包/盒 | 64-TBGA |
供应商器件封装 | 64-EasyBGA (8x10) |
包装材料 | Tray |
安装 | Surface Mount |
定时类型 | Asynchronous|Synchronous |
包装宽度 | 8 |
包装长度 | 10 |
PCB | 64 |
地址总线宽度 | 23 |
密度 | 128M |
典型工作电源电压 | 2.5|3.3 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
字数 | 8M |
最低工作温度 | -40 |
电池类型 | NOR |
供应商封装形式 | EZBGA |
标准包装名称 | BGA |
最高工作温度 | 85 |
编程电压 | 1.5 to 3.6|8.5 to 9.5 |
每字位数 | 16 |
建筑 | Sectored |
引导块 | Yes |
最低工作电源电压 | 2.3 |
引脚数 | 64 |
块组织 | Asymmetrical |
最大工作电流 | 28 |
包装高度 | 0.78 |
最大随机存取时间 | 85 |
封装 | Tray |
最大工作电源电压 | 3.6 |
位置引导块 | Top |
接口类型 | Parallel|Serial |
标准包装 | 1,800 |
格式 - 存储器 | FLASH |
供应商设备封装 | 64-EasyBGA (8x10) |
内存类型 | FLASH - NOR |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
存储容量 | 128M (8M x 16) |
电压 - 电源 | 2.3 V ~ 3.6 V |
封装/外壳 | 64-TBGA |
接口 | Parallel |
速度 | 85ns |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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