所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±8 |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 1.4(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 1250 |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 72@4.5V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 3.04(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 1.12(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 3 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 3A (Ta) |
| 的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1.2V @ 50µA |
| 供应商设备封装 | SOT-23 |
| 开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 72 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.25W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 输入电容(Ciss ) @ VDS | 237pF @ 10V |
| 闸电荷(Qg ) @ VGS | 10nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI2302-TPMSCT |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 3 A |
| 系列 | SI2302 |
| 封装/外壳 | SOT-23 |
| RDS(ON) | 110 mOhms |
| 功率耗散 | 1.25 W |
| 正向跨导 - 闵 | 8.5 S |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 品牌 | Micro Commercial Components (MCC) |
| Id - Continuous Drain Current | 3 A |
| Pd - Power Dissipation | 1.25 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 技术 | Si |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 110 mOhms |
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