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Thumbnail SI2302-TP Thumbnail SI2302-TP
厂商型号:

SI2302-TP

芯天下内部编号:
254-SI2302-TP
生产厂商:

Micro Commercial Components (MCC)

microsemi
描述:
M
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
最大门源电压 ±8
安装 Surface Mount
包装宽度 1.4(Max)
PCB 3
最大功率耗散 1250
最大漏源电压 20
欧盟RoHS指令 Compliant
Maximum Drain Source Resistance 72@4.5V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 3.04(Max)
引脚数 3
通道模式 Enhancement
包装高度 1.12(Max)
最大连续漏极电流 3
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 3A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.2V @ 50µA
供应商设备封装 SOT-23
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 72 mOhm @ 3.6A, 4.5V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1.25W
标准包装 3,000
漏极至源极电压(Vdss) 20V
输入电容(Ciss ) @ VDS 237pF @ 10V
闸电荷(Qg ) @ VGS 10nC @ 4.5V
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI2302-TPMSCT
安装风格 SMD/SMT
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 3 A
系列 SI2302
封装/外壳 SOT-23
RDS(ON) 110 mOhms
功率耗散 1.25 W
正向跨导 - 闵 8.5 S
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 20 V
RoHS RoHS Compliant
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V
晶体管类型 1 N-Channel
工厂包装数量 3000
品牌 Micro Commercial Components (MCC)
Id - Continuous Drain Current 3 A
Pd - Power Dissipation 1.25 W
通道数 1 Channel
技术 Si
Rds On - Drain-Source Resistance 110 mOhms

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