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数量:62 |
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| 规格书 |
 SG2800 |
| 标准包装 | 1 |
| 晶体管类型 | 8 NPN Darlington |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 500mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 1000 @ 350mA, 2V |
| 功率 - 最大 | - |
| 频率转换 | - |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | * |
| 供应商器件封装 | 18-DIP |
| 包装材料 | Tube |
| 动态目录 | NPN Transistor Arrays###/catalog/en/partgroup/npn-transistor-arrays/33372?mpart=SG2823J-DESC&vendor=1259&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 500mA |
| 晶体管类型 | 8 NPN Darlington |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| 标准包装 | 1 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 95V |
| 供应商设备封装 | 18-DIP |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | * |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 1000 @ 350mA, 2V |
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