规格书 |
![]() ![]() APT40GP60JDQ2 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 10 |
IGBT 型 | PT |
配置 | Single |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 600V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 40A |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 86A |
电流 - 集电极截止(最大) | 500µA |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 4.61nF @ 25V |
功率 - 最大 | 284W |
输入 | Standard |
NTC Thermistor | No |
安装类型 | Chassis Mount |
包/盒 | ISOTOP |
供应商器件封装 | ISOTOP® |
包装 | 4SOT-227 |
配置 | Single |
最大集电极发射极电压 | 600 V |
最大连续集电极电流 | 86 A |
最大栅极发射极电压 | ±30 V |
安装 | Screw |
标准包装 | Rail / Tube |
输入电容(Cies ) @ Vce时 | 4.61nF @ 25V |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 86A |
IGBT类型 | PT |
安装类型 | Chassis Mount |
电流 - 集电极截止(最大) | 500µA |
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 | 2.7V @ 15V, 40A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 600V |
供应商设备封装 | ISOTOP® |
功率 - 最大 | 284W |
封装/外壳 | SOT-227-4, miniBLOC |
输入 | Standard |
NTC热敏电阻 | No |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
栅极 - 射极漏泄电流 | +/- 100 nA |
产品 | IGBT Silicon Modules |
品牌 | Microsemi |
连续集电极电流在25 C | 86 A |
集电极 - 发射极饱和电压 | 2.2 V |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 600 V |
Pd - Power Dissipation | 284 W |
安装风格 | SMD/SMT |
最低工作温度 | - 55 C |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
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