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厂商型号

APT40GP60JDQ2 

产品描述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 86A 4-Pin SOT-227

内部编号

253-APT40GP60JDQ2

生产厂商

microsemi

microsemi

#1

数量:16
1+¥213.5414
5+¥203.9686
10+¥197.5412
25+¥181.5409
50+¥176.0708
100+¥167.7288
250+¥154.1218
500+¥141.9507
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:4
最小起订量:1
美国费城
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全场免邮
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APT40GP60JDQ2产品详细规格

规格书 APT40GP60JDQ2 datasheet 规格书
APT40GP60JDQ2 datasheet 规格书
APT40GP60JDQ2
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 10
IGBT 型 PT
配置 Single
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 40A
- 集电极电流(Ic)(最大) 86A
电流 - 集电极截止(最大) 500µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce 4.61nF @ 25V
功率 - 最大 284W
输入 Standard
NTC Thermistor No
安装类型 Chassis Mount
包/盒 ISOTOP
供应商器件封装 ISOTOP®
包装 4SOT-227
配置 Single
最大集电极发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 86 A
最大栅极发射极电压 ±30 V
安装 Screw
标准包装 Rail / Tube
输入电容(Cies ) @ Vce时 4.61nF @ 25V
电流 - 集电极( Ic)(最大) 86A
IGBT类型 PT
安装类型 Chassis Mount
电流 - 集电极截止(最大) 500µA
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.7V @ 15V, 40A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 ISOTOP®
功率 - 最大 284W
封装/外壳 SOT-227-4, miniBLOC
输入 Standard
NTC热敏电阻 No
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
栅极 - 射极漏泄电流 +/- 100 nA
产品 IGBT Silicon Modules
品牌 Microsemi
连续集电极电流在25 C 86 A
集电极 - 发射极饱和电压 2.2 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
Pd - Power Dissipation 284 W
安装风格 SMD/SMT
最低工作温度 - 55 C
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant

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