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厂商型号

APT30GS60BRDQ2G 

产品描述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247

内部编号

253-APT30GS60BRDQ2G

生产厂商

microsemi

microsemi

#1

数量:25
1+¥55.1802
10+¥49.6417
25+¥45.2656
100+¥40.8211
250+¥37.2655
500+¥33.9834
1000+¥29.6756
2500+¥27.2824
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:77
1+¥60.4203
10+¥54.3643
25+¥49.5348
100+¥44.7026
250+¥41.0779
500+¥37.4533
1000+¥32.6206
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

APT30GS60BRDQ2G产品详细规格

规格书 APT30GS60BRDQ2G datasheet 规格书
APT30GS60BRDQ2G datasheet 规格书
标准包装 30
IGBT 型 NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
蒸气云爆炸(上)(最大值)”的发展,集成电路 3.15V @ 15V, 30A
集电极电流(Ic)(最大) 54A
当前 - Collector Pulsed (Icm) 113A
功率 - 最大 250W
Switching 能源 570µJ (off)
输入 型 Standard
栅极电荷 145nC
Td(开/关)@ 25°C 16ns/360ns
测试条件 400V, 30A, 9.1 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr) 25ns
包装材料 Tube
包/盒 TO-247-3
安装类型 Through Hole
供应商器件封装 TO-247 [B]
动态目录 Standard IGBTs###/catalog/en/partgroup/standard-igbts/17451?mpart=APT30GS60BRDQ2G&vendor=691&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0
包装 3TO-247
配置 Single
最大集电极发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 54 A
最大栅极发射极电压 ±30 V
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
栅极电荷 145nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 54A
安装类型 Through Hole
开关能量 570µJ (off)
时间Td(开/关) @ 25°C 16ns/360ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 3.15V @ 15V, 30A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 TO-247 [B]
反向恢复时间(trr ) 25ns
封装 Tube
功率 - 最大 250W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-247-3
IGBT类型 NPT
测试条件 400V, 30A, 9.1 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 113A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 1
品牌 Microsemi
RoHS RoHS Compliant

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