图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 APT17F100B/S |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | TO-268-AA |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 780@10V |
| 最大漏源电压 | 1000 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | D3PAK |
| 最大功率耗散 | 625000 |
| 最大连续漏极电流 | 17 |
| 引脚数 | 3 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 17A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 1mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 1000V (1kV) |
| 标准包装 | 1 |
| 供应商设备封装 | D3Pak |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 780 mOhm @ 9A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, FREDFET |
| 功率 - 最大 | 625W |
| 封装/外壳 | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 4845pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 150nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 连续漏极电流 | 17 A |
| 栅源电压（最大值） | �30 V |
| 功率耗散 | 625 W |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | D3PAK |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 1000 V |
| 弧度硬化 | No |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 17A (Tc) |
| 工厂包装数量 | 1 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1000 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| Qg - Gate Charge | 150 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| 下降时间 | 28 ns |
| 品牌 | Microsemi |
| 通道数 | 1 Channel |
| 配置 | 1 N-Channel |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 19 S |
| Id - Continuous Drain Current | 17 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 670 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 105 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 625 W |
| 上升时间 | 31 ns |
| 技术 | Si |
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