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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

1N6156AUSJANTX 

产品描述

Diode TVS Single Bi-Dir 29.7V 1.5KW 2-Pin G-MELF

内部编号

253-1N6156AUSJANTX

生产厂商

microsemi

MICROSEMI

#1

 数量:10
1+¥221.1718
最小起订金额:￥3000
马来西亚吉隆坡
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1N6156AUSJANTX产品详细规格

规格书 1N6156AUSJANTX datasheet 规格书
包装 2G-MELF
配置 Single
方向类型 Bi-Directional
峰值脉冲功率耗散 1500 W
最大峰值脉冲电流 28 A
最大反向漏泄电流 5 uA
最大钳位电压 53.6 V
最大反向防区外电压 29.7 V
最小击穿电压 37.1 V
测试电流 30 mA
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Trays

1N6156AUSJANTX系列产品

型号厂家产品描述
1N6156AUSJANTXV microsemi Diode TVS Single Bi-Dir 29.7V 1.5KW 2-Pin G-MELF
1N6156 microsemi Diode TVS Single Bi-Dir 29.7V 1.5KW 2-Pin Case G
1N6156 Semtech Diode TVS Single Bi-Dir 29.7V 1.5KW 2-Pin
1N6156A microsemi Diode TVS Single Bi-Dir 29.7V 1.5KW 2-Pin Case G
1N6156A Semtech Diode TVS Single Bi-Dir 29.7V 1.5KW 2-Pin
1N6156AJANTX microsemi Diode TVS Single Bi-Dir 29.7V 1.5KW 2-Pin Case G
1N6156AUS microsemi Diode TVS Single Bi-Dir 29.7V 1.5KW 2-Pin G-MELF
1N6156AUS Semtech Diode TVS Single Bi-Dir 29.7V 1.5KW 2-Pin SMD
1N6156AUSJAN microsemi Diode TVS Single Bi-Dir 29.7V 1.5KW 2-Pin G-MELF
1N6156JANTX microsemi Diode TVS Single Bi-Dir 29.7V 1.5KW 2-Pin Case G
1N6156US microsemi Diode TVS Single Bi-Dir 29.7V 1.5KW 2-Pin G-MELF
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