规格书 |
1N5186-88, 1N5190 |
包装 | 2Case E |
类型 | Switching Diode |
配置 | Single |
峰值反向重复电压 | 600 V |
峰值平均正向电流 | 3 A |
峰值反向恢复时间 | 400 ns |
峰值反向电流 | 2 uA |
峰值正向电压 | 1.5@9A V |
峰值不重复浪涌电流 | 80 A |
工作温度 | -65 to 175 °C |
安装 | Through Hole |
抗辐射 | Yes |
标准包装 | Bulk |
供应商封装形式 | Case E |
标准包装名称 | Case E |
峰值反向恢复时间 | 400 |
最高工作温度 | 175 |
最大连续正向电流 | 3 |
工作结温度 | -65 to 175 |
峰值反向重复电压 | 600 |
峰值反向电流 | 2 |
峰值不重复浪涌电流 | 80 |
峰值正向电压 | 1.5@9A |
最低工作温度 | -65 |
引脚数 | 2 |
封装 | * |
电流 - Vr时反向漏电 | 2µA @ 600V |
安装类型 | * |
电压 - 正向(Vf) (最大) | 1.5V @ 9A |
电压 - ( Vr)(最大) | 600V |
热阻 | 20°C/W Jl |
供应商设备封装 | * |
反向恢复时间(trr ) | 400ns |
工作温度 - 结 | -65°C ~ 175°C |
电流 - 平均整流(Io ) | 3A |
封装/外壳 | * |
速度 | Fast Recovery = 200mA (Io) |
二极管类型 | Standard |
RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
封装/外壳 | * |
安装风格 | Through Hole |
品牌 | Microsemi |
产品 | Rectifiers |
RoHS | No |
1N5190也可以通过以下分类找到
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