NXP Semiconductors
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum DC Collector Current | 0.15 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 安装 | Surface Mount |
| Maximum Transition Frequency | 100(Min)@NPN|190(Typ)@PNP |
| Package Width | 1.35(Max) |
| PCB | 6 |
| 最大功率耗散 | 300 |
| 类型 | NPN|PNP |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 |
| 供应商封装形式 | TSSOP |
| 标准包装名称 | TSSOP |
| 最高工作温度 | 150 |
| Package Length | 2.2(Max) |
| 引脚数 | 6 |
| 最小直流电流增益 | 120@1mA@6V |
| Package Height | 1(Max) |
| Maximum Emitter Base Voltage | 7 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 150mA |
| 晶体管类型 | NPN, PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 100MHz, 190MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 250mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | 6-TSSOP |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 120 @ 1mA, 6V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Bipolar Small Signal |
| 配置 | Dual |
| 外形尺寸 | 1 x 2.2 x 1.35mm |
| 身高 | 1mm |
| 长度 | 2.2mm |
| 最大集电极基极电压 | 60 V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.5 V |
| 最大集电极发射极电压 | 50 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.15 A |
| 最大基地发射极电压 | 7 V |
| 最大工作频率 | 100 (NPN) MHz, 190 (PNP) MHz |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 0.3 W |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 包装类型 | UMT |
| 宽度 | 1.35mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz, 190 MHz |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 7 V |
| 直流电流增益hFE最大值 | 120 at 1 mA at 6 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 60 V |
| 零件号别名 | PUMZ2 T/R |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 0.15 A |
| 集电极 - 基极电压 | 60 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 50 V |
| 发射极 - 基极电压 | 7 V |
| 频率 | 100 MHz |
| 功率耗散 | 0.3 W |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 元件数 | 2 |
| 直流电流增益（最小值） | 120 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 直流电流增益 | 120 |
| 集电极电流（DC ） | 0.15 A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA (ICBO) |
| 其他名称 | 568-11289-1 |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz, 190MHz |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
| 晶体管类型 | NPN, PNP |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA (ICBO) |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 120 @ 1mA, 6V |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 功率 - 最大值 | 300mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 150mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 最高工作频率 | 100 (NPN) MHz, 190 (PNP) MHz |
| 最大直流集电极电流 | 0.15 A |
| 长度 | 2.2mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 高度 | 1mm |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 宽度 | 1.35mm |
| 封装类型 | UMT |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V |
| 引脚数目 | 6 |
| 最小直流电流增益 | 120 |
| 尺寸 | 1 x 2.2 x 1.35mm |
| 晶体管配置 | 隔离式 |
| 最大发射极-基极电压 | 7 V |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.5 V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 最大集电极-基极电压 | 60 V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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