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NXP Semiconductors
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 供应商封装形式 | SPT |
| 最大门源电压 | -40 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 配置 | Single |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 包装高度 | 5.2(Max) |
| 安装 | Through Hole |
| 最大功率耗散 | 400 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Ammo |
| 包装宽度 | 4.2(Max) |
| Maximum Drain Gate Voltage | -40 |
| PCB | 3 |
| 包装长度 | 4.8(Max) |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大漏源电压 | 40 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电压 - 击穿（ V（BR ） GSS ） | 40V |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 漏极（Idss ） @ VDS （ VGS = 0 ） | 20mA @ 15V |
| 电阻 - RDS（ON） | 30 Ohm |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 电压 - 切断（VGS关）@ Id | 10V @ 1µA |
| FET型 | N-Channel |
| 功率 - 最大 | 400mW |
| 标准包装 | 2,000 |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 6pF @ 10V (VGS) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 漏源电压VDS | 40 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 40 V |
| 类型 | Silicon |
| 产品 | RF JFET |
| 功率耗散 | 400 mW |
| 安装风格 | Through Hole |
| 漏源电流在Vgs = 0 | 20 mA |
| 栅源截止电压 | 3 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 漏源极电压 (Vdss) | 40V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 6pF @ 10V (VGS) |
| FET 类型 | N-Channel |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 40V |
| 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） | 10V @ 1µA |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| 电阻 - RDS（开） | 30 Ohm |
| 功率 - 最大值 | 400mW |
| 不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss) | 20mA @ 15V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| 晶体管类型 | JFET |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| Id - Continuous Drain Current | 20 mA |
| 技术 | Si |
| Pd - Power Dissipation | 400 mW |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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