NXP Semiconductors
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 54A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 1mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 55V |
| 标准包装 | 50 |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 18 mOhm @ 25A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 118W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2210pF @ 25V |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 10 V |
| 连续漏极电流 | 54 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 18 mOhms |
| 功率耗散 | 118 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 典型关闭延迟时间 | 92 ns |
| 零件号别名 | BUK9520-55A |
| 上升时间 | 124 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 55 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 93 ns |
| 栅源电压（最大值） | �10 V |
| 安装 | Through Hole |
| 漏源导通电阻 | 0.018 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | TO-220AB |
| 引脚数 | 3 +Tab |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源导通电压 | 55 V |
| 弧度硬化 | No |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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