规格书 |
![]() ![]() BUK7535-100A, BUK7635-100A |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 800 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 100V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 41A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 35 mOhm @ 25A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 1mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | - |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 2535pF @ 25V |
功率 - 最大 | 149W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3D2PAK |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 100 V |
最大连续漏极电流 | 41 A |
RDS -于 | 35@10V mOhm |
最大门源电压 | 20 V |
典型导通延迟时间 | 15 ns |
典型上升时间 | 67 ns |
典型关闭延迟时间 | 56 ns |
典型下降时间 | 35 ns |
工作温度 | -55 to 175 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
FET特点 | Standard |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 41A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 1mA |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
供应商设备封装 | D2PAK |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 35 mOhm @ 25A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 149W |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 2535pF @ 25V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | 568-9654-1 |
工厂包装数量 | 800 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
配置 | Single |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 41 A |
安装风格 | SMD/SMT |
RDS(ON) | 35 mOhms |
功率耗散 | 149 W |
最低工作温度 | - 55 C |
零件号别名 | /T3 BUK7635-100A |
上升时间 | 67 ns |
最高工作温度 | + 175 C |
漏源击穿电压 | 100 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 35 ns |
栅源电压(最大值) | 20 V |
漏源导通电阻 | 0.035 ohm |
工作温度范围 | -55C to 175C |
包装类型 | D2PAK |
引脚数 | 2 +Tab |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏源导通电压 | 100 V |
弧度硬化 | No |
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