图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 20 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 频率 | 1GHz |
| 增益 | 28dB |
| 电压 - 测试 | - |
| 额定电流 | - |
| 噪声系数 | - |
| 电流 - 测试 | - |
| Power - 输出功率 | - |
| 电压 - 额定 | - |
| 包/盒 | SOT-502B |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 包装材料 | Tray |
| 包装 | 3LDMOST |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 65 V |
| 最大连续漏极电流 | 39 A |
| RDS -于 | 70(Typ)@6.15V mOhm |
| 最大门源电压 | 13 V |
| 工作温度 | -65 to 225 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 包装宽度 | 9.91(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大漏源电压 | 65 |
| 最大频率 | 960 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Typical Drain Efficiency | 27 |
| 最大漏源电阻 | 70(Typ)@6.15V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 典型功率增益 | 22 |
| 供应商封装形式 | SOT-502B |
| 标准包装名称 | SOT-502B |
| 最高工作温度 | 225 |
| 输出功率 | 32(Typ) |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 20.7(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 4.72(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 39 |
| 封装 | Blister |
| 铅形状 | Flat |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 供应商设备封装 | SOT502B |
| 频率 | 1GHz |
| 增益 | 28dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 20 |
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 13 V |
| 连续漏极电流 | 39 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 115 W |
| 输出功率 | 32 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 零件号别名 | BLF6G10LS-160 |
| 产品类型 | MOSFET Power |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 65 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
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