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| 规格书 |
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| 文档 |
RF Power Transistors Transfer 21/Dec/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 100 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 频率 | 871.5MHz ~ 891.5MHz |
| 增益 | 21dB |
| 电压 - 测试 | 28V |
| 额定电流 | 32A |
| 噪声系数 | - |
| 电流 - 测试 | 950mA |
| Power - 输出功率 | 26.5W |
| 电压 - 额定 | 65V |
| 包/盒 | SOT-502B |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 包装材料 | Tray |
| 包装 | 3LDMOST |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 65 V |
| 最大连续漏极电流 | 32 A |
| RDS -于 | 100(Typ)@6.15V mOhm |
| 最大门源电压 | 13 V |
| 工作温度 | -65 to 225 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 包装宽度 | 9.91(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大漏源电压 | 65 |
| 最大频率 | 894 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Typical Drain Efficiency | 28 |
| 最大漏源电阻 | 100(Typ)@6.15V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 典型功率增益 | 21 |
| 供应商封装形式 | SOT-502B |
| 标准包装名称 | SOT-502B |
| 最高工作温度 | 225 |
| 输出功率 | 26.5(Typ) |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 20.7(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 4.72(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 32 |
| 封装 | Blister |
| 铅形状 | Flat |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 电压 - 额定 | 65V |
| 供应商设备封装 | SOT502B |
| 电压 - 测试 | 28V |
| 频率 | 871.5MHz ~ 891.5MHz |
| 增益 | 21dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 电流 - 测试 | 950mA |
| 额定电流 | 32A |
| 功率 - 输出 | 26.5W |
| 其他名称 | 934063207118 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 20 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 13 V |
| 连续漏极电流 | 32 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 输出功率 | 26.5 W |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 65 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工作温度范围 | -65C to 225C |
| 包装类型 | LDMOST |
| 元件数 | 1 |
| 操作模式 | 2-Carrier W-CDMA |
| 筛选等级 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 驻波比（Max ） | 10 |
| 频率（最大） | 894 MHz |
| 频率（最小值） | 869 MHz |
| 正向跨导（典型值） | 13 S |
| 功率增益（典型值） @ VDS | 21@28V dB |
| 漏极效率（典型值） | 28 % |
| 反向电容（典型值） | 2@28V pF |
| 输出功率（最大） | 26.5W(Typ) |
| 漏源电阻（最大值） | 100(Typ)@6.15V mohm |
| 漏源电压（最大值） | 65 V |
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