Linear Technology
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 制造商类型 | Low Noise Amplifier |
| 轨至轨 | No |
| 最大双电源电压 | ±22 |
| 类型 | General Purpose Amplifier |
| 最大输入偏置电流 | 0.03@±15V |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大电源电流 | 6.2@±15V |
| 典型增益带宽积 | 65 |
| Typical Voltage Gain | 143.52 |
| 电源类型 | Dual |
| 每个芯片的通道数 | 2 |
| 最低CMRR | 106 |
| 最低工作温度 | -40 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 85 |
| 最小双电源电压 | ±4 |
| 典型双电源电压 | ±5|±9|±12|±15|±18 |
| 关机支持 | No |
| 引脚数 | 8 |
| Maximum Input Offset Current | 0.02@±15V |
| 最大输入失调电压 | 0.1@±15V |
| Minimum PSRR | 110 |
| 典型的转换率 | 11@±15V |
| 技术 | Bipolar |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 放大器类型 | General Purpose |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 标准包装 | 100 |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 增益带宽积 | 65MHz |
| 封装 | Tube |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 电流 - 电源 | 2.6mA |
| Voltage - Supply, Single/Dual (±) | ±4 V ~ 18 V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 压摆率 | 11 V/µs |
| 电流 - 输入偏压 | 8nA |
| 电压 - 输入偏移 | 25µV |
| 电路数 | 2 |
| 其他名称 | LT1126CS8PBF |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入失调电压 | 0.1 mV |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -40C to 85C |
| 包装类型 | SOIC N |
| 元件数 | 2 |
| 共模抑制比 | 106 dB |
| 工作温度分类 | Industrial |
| 输入偏置电流 | 30 nA |
| 电源要求 | Dual |
| Dual Supply Voltage (Min) | �4 V |
| 铁/铁I / O类型 | No |
| 关机功能 | No |
| 弧度硬化 | No |
| 单电源电压（最小值） | Not Required V |
| 单电源电压（最大值） | Not Required V |
| 单电源电压（典型值） | Not Required V |
| Dual Supply Voltage (Max) | �22 V |
| 电源抑制比 | 110 dB |
| 电压增益（dB） | 143.52 dB |
| 单位增益带宽积 | 65MHz |
| 放大器类型 | 精确 |
| 典型双电源电压 | ±15V |
| Board Level Components | Y |
| 典型电压增益 | 15 V/μV |
| 最高工作温度 | +85 °C |
| 典型转换速率 | 11V/µs |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 电源类型 | 双 |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 高度 | 1.498mm |
| 长度 | 5mm |
| 宽度 | 3.988mm |
| 尺寸 | 5.004 x 3.988 x 1.498mm |
| 引脚数目 | 8 |
| 封装类型 | SOIC |
| 每片芯片通道数目 | 2 |
| 典型增益带宽积 | 65MHz |
| 典型输入电压噪声密度 | 2.7nV/√Hz |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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