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CY7C1315BV18-200BZXI图片

图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

CY7C1315BV18-200BZXI 

产品描述

SRAM 512Kx36 1.8V QDR II SRAM

内部编号

2-CY7C1315BV18-200BZXI

生产厂商

Cypress Semiconductor

cypress

#1

 数量:58
1+¥393.8025
25+¥365.6793
100+¥350.6545
500+¥336.8626
1000+¥319.9887
最小起订金额:￥￦600
新加坡
当天发货，5-8个工作日送达.
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#2

 数量:5
最小起订量:1
加拿大温哥华
当天发货，1-3个工作日送达.
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#3

 数量:5
最小起订量:1
加拿大温哥华
当天发货，1-3个工作日送达.
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原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税
支付方式

CY7C1315BV18-200BZXI产品详细规格

规格书 CY7C1315BV18-200BZXI datasheet 规格书
产品种类 SRAM
RoHS RoHS Compliant
存储容量 18 Mbit
访问时间 0.45 ns
电源电压 - 最大 1.9 V
电源电压 - 最小 1.7 V
最大工作电流 450 mA
最高工作温度 + 85 C
最低工作温度 - 40 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 FBGA
最大时钟频率 200 MHz
工厂包装数量 119
类型 Synchronous
寿命 Obsolete
安装 Surface Mount
定时类型 Synchronous
包装宽度 13
PCB 165
筛选等级 Industrial
地址总线宽度 34
典型工作电源电压 1.8
欧盟RoHS指令 Compliant
密度 18M
最低工作温度 -40
供应商封装形式 FBGA
标准包装名称 BGA
最高工作温度 85
最大时钟频率 200
每字位数 36
端口数 2
包装长度 15
最低工作电源电压 1.7
引脚数 165
最大工作电流 675
包装高度 0.89
数据速率架构 QDR
Maximum Access Time 0.45
最大工作电源电压 1.9
字数 512K
铅形状 Ball

CY7C1315BV18-200BZXI系列产品

型号厂家产品描述
CY7C1315BV18-200BZC Cypress Semiconductor SRAM 512Kx36 1.8V COM QDR II SRAM
CY7C1315BV18-200BZC rochester electronics
CY7C1315BV18-200BZI Cypress Semiconductor SRAM 512Kx36 1.8V IND QDR II SRAM
CY7C1315BV18-200BZI rochester electronics
CY7C1315BV18-200BZXC Cypress Semiconductor SRAM 512Kx36 1.8V COM QDR II SRAM
CY7C1315BV18-200BZXC rochester electronics
CY7C1315BV18-167BZC Cypress Semiconductor SRAM 512Kx36 1.8V COM QDR II SRAM
CY7C1315BV18-167BZCT Cypress Semiconductor SRAM 512Kx36 1.8V COM QDR II SRAM
CY7C1315BV18-250BZC cypress semiconductor SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA
CY7C1315BV18-250BZCES cypress semiconductor SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA
CY7C1315BV18-250BZXC Cypress Semiconductor SRAM 512Kx36 1.8V COM QDR II SRAM
CY7C1315BV18-250BZXC rochester electronics
CY7C1315CV18-167BZC Cypress Semiconductor SRAM 512Kx36 1.8V QDR II SRAM
CY7C1315CV18-167BZC rochester electronics
CY7C1315CV18-200BZC Cypress Semiconductor SRAM 512Kx36 1.8V QDR II SRAM
CY7C1315CV18-250BZC Cypress Semiconductor SRAM 512Kx36 1.8V QDR II SRAM
CY7C1315CV18-250BZI Cypress Semiconductor SRAM 512Kx36 1.8V QDR II (4-Word Burst)
CY7C1315CV18-250BZI rochester electronics
CY7C1315CV18-250BZXC Cypress Semiconductor SRAM 512Kx36 1.8V QDR II (4-Word Burst)
CY7C1315JV18-300BZC Cypress Semiconductor SRAM 512Kx36 1.8V QDR II (4-Word Burst)
CY7C1315JV18-300BZC rochester electronics
CY7C1315JV18-300BZXC Cypress Semiconductor SRAM 512Kx36 1.8V QDR II SRAM (4-WORD BURST)
CY7C1315KV18-250BZC cypress semiconductor SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray
CY7C1315KV18-250BZCT cypress semiconductor SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA T/R
CY7C1315KV18-250BZI cypress semiconductor SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray
CY7C1315KV18-250BZIT Cypress Semiconductor SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA T/R
CY7C1315KV18-250BZXC cypress semiconductor SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray

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