IXYS
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 75A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 4mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 标准包装 | 30 |
| 供应商设备封装 | TO-247AD |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 20 mOhm @ 37.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 300W |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 4500pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 260nC @ 10V |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 75 A |
| 下降时间 | 30 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 单位重量 | 0.229281 oz |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 正向跨导 - 闵 | 30 s |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 系列 | IXTH75N10 |
| RDS（ON） | 20 mOhms |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 300 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 60 ns |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 宽度 | 5.3 mm |
| 品牌 | IXYS |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 75 A |
| 长度 | 16.26 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 20 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
| 身高 | 21.46 mm |
| 典型导通延迟时间 | 40 ns |
| Pd - Power Dissipation | 300 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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