1. IXFN40N90P
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IXFN40N90P 

产品描述

MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

内部编号

184-IXFN40N90P

生产厂商

IXYS

ixys

#1

数量:9
最小起订量:1
美国加州
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IXFN40N90P产品详细规格

规格书 IXFN40N90P datasheet 规格书
IXFN40N90P
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 10
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 900V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 33A
Rds(最大)@ ID,VGS 210 mOhm @ 20A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 6.5V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 230nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 14000pF @ 25V
功率 - 最大 695W
安装类型 Chassis Mount
包/盒 SOT-227-4, miniBLOC
供应商器件封装 SOT-227B
包装材料 Tube
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Chassis Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 33A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 6.5V @ 1mA
漏极至源极电压(Vdss) 900V
供应商设备封装 SOT-227B
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 210 mOhm @ 20A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 695W
标准包装 10
输入电容(Ciss ) @ VDS 14000pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 230nC @ 10V
封装/外壳 SOT-227-4, miniBLOC
工厂包装数量 10
安装风格 Screw
晶体管极性 N-Channel
最低工作温度 - 55 C
源极击穿电压 +/- 30 V
连续漏极电流 33 A
系列 IXFN40N90
单位重量 1.340411 oz
RDS(ON) 230 mOhms
功率耗散 695 W
商品名 HiPerFET
封装/外壳 SOT-227B
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 900 V
RoHS RoHS Compliant
类型 Polar Power MOSFET
品牌 IXYS

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