IXYS
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 14A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 1mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 标准包装 | 50 |
| 供应商设备封装 | TO-263AA |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 540 mOhm @ 7A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 327W |
| 封装/外壳 | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1480pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 25nC @ 10V |
| 系列 | IXFA14N60P |
| 商品名 | HiPerFET |
| 工厂包装数量 | 50 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V to 5 V |
| Qg - Gate Charge | 25 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| 下降时间 | 16 ns |
| 品牌 | IXYS |
| 通道数 | 1 Channel |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 9 S |
| Id - Continuous Drain Current | 14 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 540 mOhms |
| 典型关闭延迟时间 | 43 ns |
| 通道模式 | Enhancement |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 典型导通延迟时间 | 21 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 327 W |
| 上升时间 | 15 ns |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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