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| 规格书 |
 IXT(Q,A,P)160N085T |
| 文档 |
IXT Series 30/Oct/2012 |
| 标准包装 | 30 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 85V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 160A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 6 mOhm @ 50A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 164nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 6400pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 360W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 包装材料 | Tube |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 包装宽度 | 4.9(Max) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | TO-3P |
| 安装 | Through Hole |
| 最大功率耗散 | 360000 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 6@10V |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大漏源电压 | 85 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 标签 | Tab |
| 供应商封装形式 | TO-3P |
| 包装长度 | 15.8(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大连续漏极电流 | 160 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 160A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 1mA |
| 封装/外壳 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 供应商设备封装 | TO-3P |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 6 mOhm @ 50A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 360W |
| 标准包装 | 30 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 85V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 6400pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 164nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 160 A |
| 系列 | IXTQ160N085 |
| 单位重量 | 0.194007 oz |
| RDS（ON） | 6 mOhms |
| 功率耗散 | 360 W |
| 安装风格 | Through Hole |
| 典型关闭延迟时间 | 65 ns |
| 上升时间 | 61 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 85 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 36 ns |
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