图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:77 |
|
最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 IXTP05N100M |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 1000V (1kV) |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 700mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 17 Ohm @ 375mA, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4.5V @ 25µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 7.8nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 260pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 25W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 包装材料 | Tube |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 700mA (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.5V @ 25µA |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 17 Ohm @ 375mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 25W |
| 标准包装 | 50 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 1000V (1kV) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 260pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 7.8nC @ 10V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 连续漏极电流 | 700 mA |
| 系列 | IXTP05N100 |
| RDS（ON） | 15 Ohms |
| 功率耗散 | 25 W |
| 下降时间 | 28 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导 - 闵 | 0.55 s |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 上升时间 | 19 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 1 kV |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 7.8 nC |
| 工厂包装数量 | 1 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1000 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4.5 V |
| 宽度 | 4.9 mm |
| Qg - Gate Charge | 7.8 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| 类型 | High Voltage MOSFET |
| 品牌 | IXYS |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 700 mA |
| 长度 | 10.36 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 15 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
| 身高 | 16.07 mm |
| 典型导通延迟时间 | 11 ns |
| Pd - Power Dissipation | 25 W |
| 技术 | Si |
IXTP05N100M也可以通过以下分类找到
IXTP05N100M相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
