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厂商型号

IXFR12N100Q 

产品描述

MOSFET 12 Amps 1000V 1 Rds

内部编号

184-IXFR12N100Q

生产厂商

IXYS

ixys

#1

数量:0
最小起订量:1
美国加州
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IXFR12N100Q产品详细规格

规格书 IXFR12N100Q datasheet 规格书
IXFR12N100Q, IXFR10N100Q
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 30
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 1000V (1kV)
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 10A
Rds(最大)@ ID,VGS 1.1 Ohm @ 6A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 5.5V @ 4mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 90nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 2900pF @ 25V
功率 - 最大 250W
安装类型 Through Hole
包/盒 ISOPLUS247™
供应商器件封装 ISOPLUS247™
包装材料 Tube

IXFR12N100Q系列产品

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