图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IRG4BH20K-STRLP 

产品描述

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

内部编号

176-IRG4BH20K-STRLP

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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全场免运费 /报价不含任何销售税

IRG4BH20K-STRLP产品详细规格

规格书 IRG4BH20K-STRLP datasheet 规格书
IRG4BH20K-STRLP datasheet 规格书
IRG4BH20K-SPBF
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 800
IGBT 型 -
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 4.3V @ 15V, 5A
- 集电极电流(Ic)(最大) 11A
功率 - 最大 60W
Input 型 Standard
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3D2PAK
配置 Single
最大集电极发射极电压 1200 V
最大连续集电极电流 11 A
最大栅极发射极电压 ±20 V
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
供应商封装形式 D2PAK
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 11
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 D2PAK
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大集电极发射极电压 1200
最大功率耗散 60000
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
栅极电荷 28nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 11A
安装类型 Surface Mount
开关能量 890µJ
时间Td(开/关) @ 25°C 23ns/93ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 4.3V @ 15V, 5A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
供应商设备封装 D2PAK
功率 - 最大 60W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
测试条件 960V, 5A, 50 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 22A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 800
连续集电极电流在25 C 11 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 1.2 KV
安装风格 SMD/SMT
最低工作温度 - 55 C
RoHS RoHS Compliant

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