international rectifier
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8Micro |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 2.4 A |
| RDS -于 | 135@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 4.7 ns |
| 典型上升时间 | 10 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 典型下降时间 | 5.3 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.4A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | Micro8™ |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 135 mOhm @ 1.7A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 1.25W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 210pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 12nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | IRF7503TRPBFCT |
| 类别 | Power MOSFET |
| 渠道类型 | N |
| 配置 | Dual, Dual Drain |
| 外形尺寸 | 3 x 3 x 0.86mm |
| 身高 | 0.86mm |
| 长度 | 3mm |
| 最大漏源电阻 | 0.135 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 1.25 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 包装类型 | Micro8 |
| 引脚数 | 8 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 7.8 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 210 pF V @ 25 |
| 宽度 | 3mm |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 2.4 A |
| 正向跨导 - 闵 | 1.9 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 135 mOhms |
| 功率耗散 | 1.25 W |
| 封装/外壳 | Micro-8 |
| 栅极电荷Qg | 7.8 nC |
| 上升时间 | 10 ns |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 5.3 ns |
| 漏极电流（最大值） | 2.4 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.135 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 2 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| Continuous Drain Current Id | :2.4A |
| Drain Source Voltage Vds | :30V |
| On Resistance Rds(on) | :135mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :1V |
| Weight (kg) | 0 |
| Tariff No. | 85412900 |
| Current,Drain | 2.4A |
| GateCharge,Total | 7.8nC |
| PackageType | Micro8 |
| 极化方式 | N-Channel |
| PowerDissipation | 1.25W |
| Resistance,DraintoSourceOn | 0.135Ohms |
| Temperature,Operating | -55to150°C |
| ThermalResistance,JunctiontoAmbient | 100°C/W |
| Time,Turn-OffDelay | 12ns |
| Time,Turn-OnDelay | 4.7ns |
| Transconductance,Forward | 1.9S |
| Voltage,Breakdown,DraintoSource | 30V |
| Voltage,Forward,Diode | 1.2V |
| Voltage,GatetoSource | ±20V |
| 案例 | SO8 |
| Transistor type | N-MOSFET x2 |
| 功率 | 1.25W |
| Drain-source voltage | 30V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 2.4A |
| Multiplicity | 4000 |
| Gross weight | 0.43 g |
| Package type | roll |
| Collective package [pcs] | 4000 |
| spg | 4000 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
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