所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8SOIC |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 6.5 A |
| RDS -于 | 29@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 8.1 ns |
| 典型上升时间 | 8.9 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 典型下降时间 | 17 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 6.5A |
| 的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1V @ 250µA |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 29 mOhm @ 5.8A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 输入电容(Ciss ) @ VDS | 650pF @ 25V |
| 其他名称 | *IRF7313 |
| 闸电荷(Qg ) @ VGS | 33nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
咨询QQ
热线电话