International Rectifier
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | Direct-FET |
| Package Height | 0.53(Max) |
| 安装 | Surface Mount |
| Maximum Power Dissipation | 2100 |
| 渠道类型 | N |
| Maximum Drain Source Resistance | 8.3@10V |
| 最低工作温度 | -40 |
| 最大漏源电压 | 40 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Package Width | 3.95(Max) |
| 供应商封装形式 | Direct-FET ST |
| Package Length | 3.95(Max) |
| PCB | 7 |
| 最大连续漏极电流 | 12.7 |
| 引脚数 | 7 |
| 铅形状 | Gull-wing|No Lead |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 12.7A (Ta), 55A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.25V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 标准包装 | 4,800 |
| 供应商设备封装 | DIRECTFET™ ST |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 8.3 mOhm @ 12.7A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.1W |
| 封装/外壳 | DirectFET™ Isometric ST |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2560pF @ 20V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 29nC @ 4.5V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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