international rectifier
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 6Direct-FET SQ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 150 V |
| 最大连续漏极电流 | 41 A |
| RDS -于 | 45@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 12 ns |
| 典型上升时间 | 51 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 典型下降时间 | 5.7 ns |
| 工作温度 | -40 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 15A (Ta), 66A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.55V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 供应商设备封装 | DIRECTFET™ SQ |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 6.8 mOhm @ 15A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.2W |
| 封装/外壳 | DirectFET™ Isometric SQ |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1520pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 17nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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