所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Cut Tape (CT) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 11A (Ta), 48A (Tc) |
| 的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 标准包装 | 1 |
| 供应商设备封装 | DIRECTFET™ MQ |
| 开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 13 mOhm @ 11A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.3W |
| 封装/外壳 | DirectFET™ Isometric MQ |
| 输入电容(Ciss ) @ VDS | 1420pF @ 10V |
| 其他名称 | IRF6602CT |
| 闸电荷(Qg ) @ VGS | 18nC @ 4.5V |
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