international rectifier
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8SOIC |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 150 V |
| 最大连续漏极电流 | 2.2 A |
| RDS -于 | 240@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 18 ns |
| 典型上升时间 | 15 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 典型下降时间 | 26 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最低工作温度 | -55 |
| Maximum Drain Source Resistance | 240@10V |
| 最大漏源电压 | 150 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | SOIC |
| 最大功率耗散 | 2500 |
| 最大连续漏极电流 | 2.2 |
| 引脚数 | 8 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.2A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 150V |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 240 mOhm @ 1.3A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1280pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 49nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Quad Drain, Single, Triple Source |
| 外形尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm |
| 身高 | 1.5mm |
| 长度 | 5mm |
| 最大漏源电阻 | 0.24 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SOIC |
| 典型栅极电荷@ VGS | 33 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 1280 pF V @ 25 |
| 宽度 | 4mm |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | - 2.2 A |
| 正向跨导 - 闵 | 2.7 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 0.24 Ohms |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 栅极电荷Qg | 33 nC |
| 上升时间 | 15 ns |
| 漏源击穿电压 | - 150 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 26 ns |
| 漏极电流（最大值） | 2.2 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.24 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 150 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| Continuous Drain Current Id | :2.2A |
| Drain Source Voltage Vds | :150V |
| On Resistance Rds(on) | :240mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :5V |
| 功耗 | :2.5W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOIC |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Current Id Max | :-2.2A |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Pulse Current Idm | :19A |
| 端接类型 | :SMD |
| Voltage Vds | :150V |
| Voltage Vds Typ | :150V |
| Voltage Vgs Max | :-5V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| Weight (kg) | 0.0005 |
| Tariff No. | 85412900 |
| ChannelType | P |
| Current,Drain | -2.2A |
| GateCharge,Total | 33nC |
| PackageType | SO-8 |
| 极化方式 | P-Channel |
| PowerDissipation | 2.5W |
| Resistance,DraintoSourceOn | 0.24Ohm |
| Temperature,Operating,Maximum | +150°C |
| Temperature,Operating,Minimum | -55°C |
| Time,Turn-OffDelay | 33ns |
| Time,Turn-OnDelay | 18ns |
| Transconductance,Forward | 2.7S |
| Voltage,Breakdown,DraintoSource | -150V |
| Voltage,DraintoSource | -150V |
| Voltage,Forward,Diode | -1.6V |
| Voltage,GatetoSource | ±20V |
| 案例 | SO8 |
| Gate charge | 33nC |
| Transistor kind | HEXFET |
| Transistor type | P-MOSFET |
| 功率 | 2.5W |
| Drain-source voltage | -150V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | -2.2A |
| Multiplicity | 1 |
| Gross weight | 0.14 g |
| gate-source voltage | 20V |
| On-state resistance | 240mΩ |
| Collective package [pcs] | 475 |
| Junction-to-case thermal resistance | 20K/W |
| spg | 475 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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