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IRF3805L-7PPBF Spice Model IRF3805L-7PPBF Saber Model Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 800 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 55V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 160A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 2.6 mOhm @ 140A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 200nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 7820pF @ 25V |
功率 - 最大 | 300W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
供应商器件封装 | D2PAK (7-Lead) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 7D2PAK |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 55 V |
最大连续漏极电流 | 240 A |
RDS -于 | 2.6@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 23 ns |
典型上升时间 | 130 ns |
典型关闭延迟时间 | 80 ns |
典型下降时间 | 52 ns |
工作温度 | -55 to 175 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
FET特点 | Standard |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 160A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 55V |
供应商设备封装 | D2PAK (7-Lead) |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 2.6 mOhm @ 140A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 300W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 7820pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 200nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | IRF3805STRL-7PPCT |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | 20 V |
连续漏极电流 | 240 A |
安装风格 | SMD/SMT |
RDS(ON) | 2.6 mOhms |
功率耗散 | 300 W |
最低工作温度 | - 55 C |
封装/外壳 | D2PAK |
配置 | Single Quint Source |
漏源击穿电压 | 55 V |
RoHS | RoHS Compliant |
栅极电荷Qg | 130 nC |
案例 | D2PAK |
Transistor type | N-MOSFET |
功率 | 300W |
Drain-source voltage | 55V |
极化 | unipolar |
Drain current | 240A |
Multiplicity | 800 |
Gross weight | 0.43 g |
Package type | roll |
Collective package [pcs] | 800 |
spg | 800 |
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