图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
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| 文档 |
Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 800 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 40V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 160A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 1.6 mOhm @ 160A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 260nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 6930pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 330W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| 供应商器件封装 | D2PAK (7-Lead) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 7D2PAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 最大连续漏极电流 | 280 A |
| RDS -于 | 2@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 13 ns |
| 典型上升时间 | 120 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 130 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 160A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 供应商设备封装 | D2PAK (7-Lead) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.6 mOhm @ 160A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 330W |
| 封装/外壳 | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 6930pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 260nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 280 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 2 mOhms |
| 功率耗散 | 330 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
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