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厂商型号

IRF2804STRR7PP 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 40V 280A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

内部编号

176-IRF2804STRR7PP

订购说明

质量保障

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IRF2804STRR7PP产品详细规格

规格书 IRF2804STRR7PP datasheet 规格书
IRF2804STRR7PP datasheet 规格书
IRF2804STRR7PP datasheet 规格书
文档 Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 800
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 40V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 160A
Rds(最大)@ ID,VGS 1.6 mOhm @ 160A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 260nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 6930pF @ 25V
功率 - 最大 330W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
供应商器件封装 D2PAK (7-Lead)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 7D2PAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 40 V
最大连续漏极电流 280 A
RDS -于 2@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 13 ns
典型上升时间 120 ns
典型关闭延迟时间 130 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
FET特点 Standard
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 160A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 40V
供应商设备封装 D2PAK (7-Lead)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 1.6 mOhm @ 160A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 330W
封装/外壳 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
输入电容(Ciss ) @ VDS 6930pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 260nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 800
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 280 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 2 mOhms
功率耗散 330 W
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 40 V
RoHS RoHS Compliant

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