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厂商型号

IRF1405ZSTRLPBF 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 55V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

内部编号

176-IRF1405ZSTRLPBF

#1

数量:560
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美国加州
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IRF1405ZSTRLPBF产品详细规格

规格书 IRF1405ZSTRLPBF datasheet 规格书
IRF1405ZSTRLPBF datasheet 规格书
文档 Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
Alternate Assembly Site 11/Nov/2013
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 800
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 55V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 75A
Rds(最大)@ ID,VGS 4.9 mOhm @ 75A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 180nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 4780pF @ 25V
功率 - 最大 230W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3D2PAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 55 V
最大连续漏极电流 150 A
RDS -于 4.9@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 18 ns
典型上升时间 110 ns
典型关闭延迟时间 48 ns
典型下降时间 82 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
FET特点 Standard
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 75A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 55V
供应商设备封装 D2PAK
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 4.9 mOhm @ 75A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 230W
输入电容(Ciss ) @ VDS 4780pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 180nC @ 10V
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 IRF1405ZSTRLPBFCT
工厂包装数量 800
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 150 A
正向跨导 - 闵 88 S
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 4.8 mOhms
功率耗散 230 W
封装/外壳 D2PAK
栅极电荷Qg 180 nC
上升时间 110 ns
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 55 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 82 ns
漏极电流(最大值) 150 A
频率(最大) Not Required MHz
栅源电压(最大值) �20 V
输出功率(最大) Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.0049 ohm
工作温度范围 -55C to 175C
包装类型 D2PAK
引脚数 2 +Tab
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %
漏源导通电压 55 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
删除 Compliant
案例 D2PAK
Transistor type N-MOSFET
功率 230W
Drain-source voltage 55V
极化 unipolar
Drain current 150A
Multiplicity 800
Gross weight 0.43 g
Package type roll
Collective package [pcs] 800
spg 800

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