international rectifier
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-220AB |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 最大连续漏极电流 | 270 A |
| RDS -于 | 2.3@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 13 ns |
| 典型上升时间 | 120 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 130 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 195A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 供应商设备封装 | TO-220 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2.3 mOhm @ 75A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 300W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 6450pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 240nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 渠道类型 | N |
| 配置 | Dual Drain, Single |
| 外形尺寸 | 10.66 x 4.82 x 16.51mm |
| 身高 | 16.51mm |
| 长度 | 10.66mm |
| 最大漏源电阻 | 2.3 mΩ |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大功率耗散 | 300 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | TO-220AB |
| 引脚数 | 3 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 160 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 6450 pF V @ 25 |
| 宽度 | 4.82mm |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 270 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 2.3 mOhms |
| 功率耗散 | 300 W |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 160 nC |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 漏源导通电阻 | 0.0023 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 40 V |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| 案例 | TO220AB |
| Gate charge | 66nC |
| Transistor kind | HEXFET |
| Transistor type | N-MOSFET |
| 功率 | 300W |
| Drain-source voltage | 40V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 270A |
| Multiplicity | 1 |
| Gross weight | 1.4 g |
| gate-source voltage | 20V |
| On-state resistance | 2.3mΩ |
| Collective package [pcs] | 20 |
| Junction-to-case thermal resistance | 500mK/W |
| spg | 20 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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