规格书 |
IRF3315(S,L)PbF |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 800 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 150V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 21A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 82 mOhm @ 12A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 95nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1300pF @ 25V |
功率 - 最大 | 3.8W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3D2PAK |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 150 V |
最大连续漏极电流 | 21 A |
RDS -于 | 82@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 9.6 ns |
典型上升时间 | 32 ns |
典型关闭延迟时间 | 49 ns |
典型下降时间 | 38 ns |
工作温度 | -55 to 175 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
FET特点 | Standard |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 21A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 150V |
供应商设备封装 | D2PAK |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 82 mOhm @ 12A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 3.8W |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1300pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 95nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 800 |
配置 | Single |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 21 A |
正向跨导 - 闵 | 17 S |
安装风格 | SMD/SMT |
RDS(ON) | 82 mOhms |
功率耗散 | 3.8 W |
栅极电荷Qg | 95 nC |
上升时间 | 32 ns |
最高工作温度 | + 175 C |
漏源击穿电压 | 150 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 38 ns |
栅源电压(最大值) | �20 V |
漏源导通电阻 | 0.082 ohm |
工作温度范围 | -55C to 175C |
包装类型 | D2PAK |
引脚数 | 2 +Tab |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏源导通电压 | 150 V |
弧度硬化 | No |
案例 | D2PAK |
Transistor type | N-MOSFET |
功率 | 94W |
Drain-source voltage | 150V |
极化 | unipolar |
Drain current | 21A |
Multiplicity | 800 |
Gross weight | 0.43 g |
Package type | roll |
Collective package [pcs] | 800 |
spg | 800 |
IRF3315STRLPBF也可以通过以下分类找到
IRF3315STRLPBF相关搜索