infineon technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-262 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 最大连续漏极电流 | 80 A |
| RDS -于 | 3.5@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 25 ns |
| 典型上升时间 | 17 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 39 ns |
| 典型下降时间 | 14 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| P（ TOT ） | 188W |
| 匹配代码 | IPI80N04S3-03 |
| R（ THJC ） | 0.8K/W |
| LogicLevel | NO |
| 单位包 | 50 |
| 标准的提前期 | 18 weeks |
| 最小起订量 | 500 |
| Q（克） | 110nC |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 汽车 | AEC-Q(100) |
| 我（D ） | 80A |
| V（ DS ） | 40V |
| 技术 | OptiMOS |
| 的RDS（on ） at10V | 0.0035Ohm |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 80A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 120µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 供应商设备封装 | PG-TO262-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 3.5 mOhm @ 80A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 188W |
| 封装/外壳 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 7300pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 110nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 80 A |
| 系列 | xPI80N04 |
| RDS（ON） | 3.5 mOhms |
| 功率耗散 | 188 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 零件号别名 | IPI80N04S303AKSA1 SP000261238 |
| 上升时间 | 17 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 14 ns |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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