Infineon Technologies
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| Type | Description |
|---|---|
| P（ TOT ） | 94W |
| 匹配代码 | IPD031N03M G |
| 安装 | SMD |
| R（ THJC ） | 1.6K/W |
| LogicLevel | YES |
| 包装 | TO252-3 |
| 单位包 | 2500 |
| 标准的提前期 | 27 weeks |
| 最小起订量 | 2500 |
| Q（克） | 68nC |
| LLRDS （上） | 0.0038Ohm |
| 汽车 | NO |
| LLRDS （上）在 | 4.5V |
| 我（D ） | 90A |
| V（ DS ） | 30V |
| 的RDS（on ） at10V | 0.0031Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 90A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 标准包装 | 2,500 |
| 供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 3.1 mOhm @ 30A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 94W |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 5300pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 51nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | IPD031N03M GINDKR |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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