infineon technologies
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| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-220AB |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 最大连续漏极电流 | 10 A |
| RDS -于 | 200@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 20 ns |
| 典型上升时间 | 45 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 70 ns |
| 典型下降时间 | 55 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| RoHS | No |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 连续漏极电流 | 10 A |
| 抗漏源极RDS （ ON） | 200 mOhms |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220AB |
| 封装 | Tube |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 40000 mW |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 零件号别名 | BTS110NK BTS110NKSA1 SP000011184 |
| 寿命 | NRND: Not recommended for new designs. |
| P（ TOT ） | 40W |
| 匹配代码 | BTS110 |
| R（ THJC ） | 3.1K/W |
| LogicLevel | NO |
| 单位包 | 50 |
| 标准的提前期 | 18 weeks |
| 最小起订量 | 500 |
| 无铅Defin | Leaded |
| 汽车 | NO |
| 我（D ） | 10A |
| V（ DS ） | 100V |
| 技术 | TEMPFET |
| 的RDS（on ） at10V | 0.2Ohm |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 10A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3.5V @ 1mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 200 mOhm @ 5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 40W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 600pF @ 25V |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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