BSC018NE2LSIXT

产品描述

MOSFET OptiMOS Power MOSFET

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规格书
晶体管极性	N-Channel
连续漏极电流	100 A
封装/外壳	PG-TDSON-8
零件号别名	BSC018NE2LSIATMA1 SP000906030
下降时间	3.6 ns
安装风格	SMD/SMT
商品名	OptiMOS
配置	Single Quad Drain Triple Source
最高工作温度	+ 150 C
正向跨导 - 闵	130 S
RoHS	RoHS Compliant
典型关闭延迟时间	24 ns
源极击穿电压	+/- 20 V
系列	BSC018NE2
RDS（ON）	1.8 mOhms
封装	Reel
功率耗散	69 W
最低工作温度	- 55 C
上升时间	4.8 ns
漏源击穿电压	25 V
栅极电荷Qg	36 nC
工厂包装数量	5000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.2 V
宽度	5.15 mm
Qg - Gate Charge	48 nC
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
品牌	Infineon Technologies
通道数	1 Channel
晶体管类型	1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current	100 A
长度	5.9 mm
Rds On - Drain-Source Resistance	1.5 mOhms
通道模式	Enhancement
身高	1.27 mm
典型导通延迟时间	5.2 ns
Pd - Power Dissipation	69 W
技术	Si

型号	厂家	产品描述
BSC018NE2LS	infineon technologies	Trans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP
BSC018NE2LSATMA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP
BSC018NE2LSIATMA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP
BSC018N04LS G	Infineon Technologies	MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 100A
BSC018N04LSG	infineon technologies	Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP
BSC018N04LSGATMA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP
BSC018N04LSGXT/BKN	infineon technologies	Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP

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