规格书 |
|
Rohs |
Contains lead / RoHS non-compliant |
标准包装 |
1,000 |
FET 型
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 |
Standard |
漏极至源极电压(VDSS) |
40V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C |
160A |
Rds(最大)@ ID,VGS |
2.7 mOhm @ 80A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id |
2V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS |
230nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
8000pF @ 25V |
功率 - 最大 |
300W |
安装类型
|
Surface Mount |
包/盒
|
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
供应商器件封装 |
P-TO263-7 |
包装材料
|
Tape & Reel (TR) |
包装 |
7TO-263 |
通道模式 |
Enhancement |
最大漏源电压 |
40 V |
最大连续漏极电流 |
160 A |
RDS -于 |
2.7@10V mOhm |
最大门源电压 |
±20 V |
典型导通延迟时间 |
12 ns |
典型上升时间 |
80 ns |
典型关闭延迟时间 |
93 ns |
典型下降时间 |
72 ns |
工作温度 |
-55 to 175 °C |
安装 |
Surface Mount |
FET特点 |
Standard |
封装 |
Tape & Reel (TR) |
安装类型 |
Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C |
160A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id |
2V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) |
40V |
标准包装 |
1,000 |
供应商设备封装 |
P-TO263-7 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS |
2.7 mOhm @ 80A, 10V |
FET型 |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 |
300W |
封装/外壳 |
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
输入电容(Ciss ) @ VDS |
8000pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS |
230nC @ 10V |
RoHS指令 |
Contains lead / RoHS non-compliant |