BSD214SNH6327XTSA1

产品描述

MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363

内部编号

生产厂商

数量:8650

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美国加州
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数量:0

最小起订量:1
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质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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支付方式

工厂包装数量	9000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
晶体管极性	N-Channel
封装/外壳	SOT-363-6
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	700 mV
宽度	1.25 mm
Qg - Gate Charge	800 pC
Vgs - Gate-Source Voltage	12 V
下降时间	1.4 ns
封装	Reel
品牌	Infineon Technologies
通道数	1 Channel
配置	1 N-Channel
最高工作温度	+ 150 C
晶体管类型	1 N-Channel
正向跨导 - 闵	4 S
Id - Continuous Drain Current	1.5 A
长度	2 mm
Rds On - Drain-Source Resistance	111 mOhms
RoHS	RoHS Compliant
典型关闭延迟时间	6.8 ns
通道模式	Enhancement
系列	BSD214
身高	0.9 mm
安装风格	SMD/SMT
典型导通延迟时间	4.1 ns
最低工作温度	- 55 C
Pd - Power Dissipation	500 mW
上升时间	7.8 ns
技术	Si

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