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数量:5775 |
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| 规格书 |
 BSD214SN |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 1.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1.2V @ 3.7µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 0.8nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 143pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 供应商器件封装 | PG-SOT363-6 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.5A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.2V @ 3.7µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | PG-SOT363-6 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 封装/外壳 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 143pF @ 10V |
| 其他名称 | BSD214SNH6327XTSA1 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 0.8nC @ 5V |
| 工厂包装数量 | 9000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 700 mV |
| 宽度 | 1.25 mm |
| Qg - Gate Charge | 800 pC |
| 下降时间 | 1.4 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 配置 | 1 N-Channel |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 4 S |
| Id - Continuous Drain Current | 1.5 A |
| 长度 | 2 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 111 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 6.8 ns |
| 通道模式 | Enhancement |
| 系列 | BSD214 |
| 身高 | 0.9 mm |
| 典型导通延迟时间 | 4.1 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| 上升时间 | 7.8 ns |
| 技术 | Si |
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