#1 |
数量:7879 |
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最小起订量:1 美国纽约 当天发货,1-3个工作日送达. |
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#2 |
数量:565 |
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最小起订金额:¥3000 美国纽约 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:88 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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规格书 |
Infrared Sensors Line Guide |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1 |
最大功率耗散 | 100 mW |
封装/外壳 | Side Looker |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 30 V |
集电极 - 发射极击穿电压 | 30 V |
集电极 - 发射极饱和电压 | 0.4 V |
下降时间 | 15 us |
最高工作温度 | + 85 C |
最低工作温度 | - 40 C |
产品 | Phototransistors |
上升时间 | 15 us |
类型 | Photodetector Transistors |
波长 | 880 nm |
包装颜色 | Black |
发射极 - 集电极击穿电压 | 5 V |
系列名称 | Phototransistor |
封装形式 | Side-Looking |
工作温度范围 | -40 °C to 85 °C [-40 °F to 185 °F] |
包装内容 | Plastic |
功率耗散 | 100 mW |
暗电流 | 100 nA |
上升和下降时间 | 15 µs |
光电流最小 | 12.5 mA |
产品类型 | IR Component |
子类别 | Phototransistor |
交货期 | 28 Days |
电流 - 暗( Id)(最大) | 100nA |
定位 | Side View |
安装类型 | Through Hole, Right Angle |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 30V |
可视角度 | 18° |
功率 - 最大 | 100mW |
标准包装 | 1 |
封装/外壳 | Radial |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
Angular Response (Degree) | 18 |
包装类型 | Side-Looking |
工作温度 | -40 °C to 85 °C [-40 °F to 185 °F] |
评论 | The radiation source is a tungsten lamp operating at a color temperature of 2870°K. |
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