图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 Infrared Sensors Line Guide |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1 |
| 最大功率耗散 | 100 mW |
| 封装/外壳 | Side Looker |
| 最高工作温度 | + 85 C |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 类型 | Photodetector Transistors |
| 极性 | NPN |
| 供应商封装形式 | Side Looker |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.4 |
| 最大上升时间 | 15000(Typ) |
| 峰值波长 | 880 |
| 最大集电极发射极电压 | 30 |
| 每个芯片的通道数 | 1 |
| 最大下降时间 | 15000(Typ) |
| 最大暗电流 | 100 |
| 最大光电流 | 500(Min) |
| 最大功率耗散 | 100 |
| 最大的发射极集电极电压 | 5 |
| 最高工作温度 | 85 |
| 最低工作温度 | -40 |
| 光电晶体管类型 | Phototransistor |
| 半强度角度 | 18 |
| 引脚数 | 2 |
| 镜片颜色 | Black |
| 铅形状 | Through Hole |
| 包装颜色 | Black |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.4 V |
| 发射极 - 集电极击穿电压 | 5 V |
| 系列名称 | Phototransistor |
| 封装形式 | Side-Looking |
| 工作温度范围 | -40 °C to 85 °C [-40 °F to 185 °F] |
| 包装内容 | Plastic |
| 功率耗散 | 100 mW |
| 集电极 - 发射极击穿电压 | 30 V |
| 暗电流 | 100 nA |
| 上升和下降时间 | 15 µs |
| 光电流最小 | 0.5 mA |
| 产品类型 | IR Component |
| 子类别 | Phototransistor |
| 交货期 | 84 Days |
| 电流 - 暗（ Id）（最大） | 100nA |
| 定位 | Side View |
| 安装类型 | Through Hole, Right Angle |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| 可视角度 | 18° |
| 功率 - 最大 | 100mW |
| 标准包装 | 1 |
| 波长 | 900nm |
| 封装/外壳 | Radial |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| Angular Response (Degree) | 18 |
| 包装类型 | Side-Looking |
| 工作温度 | -40 °C to 85 °C [-40 °F to 185 °F] |
| 评论 | The radiation source is a tungsten lamp operating at a color temperature of 2870°K. |
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