Diodes Inc
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| Type | Description |
|---|---|
| P（ TOT ） | 0.97W |
| 匹配代码 | ZXMN3A01ZTA |
| 包装 | SOT23 |
| 单位包 | 1000 |
| 标准的提前期 | 16 weeks |
| 最小起订量 | 2000 |
| 极化 | N-CHANNEL |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 我（D ） | 2.7A |
| V（ DS ） | 30V |
| R（ DS上） | 0.12Ohm |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.2A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | SOT-89 |
| 其他名称 | ZXMN3A01ZTADITR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 120 mOhm @ 2.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 970mW |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 186pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 2.6nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 连续漏极电流 | 3.3 A |
| RDS（ON） | 120 mOhms |
| 功率耗散 | 0.97 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SOT-89 |
| 栅极电荷Qg | 2.6 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 13.5 ns |
| 上升时间 | 4.1 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 3.6 ns |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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