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厂商型号:

ZVN2120GTA

芯天下内部编号:
110-ZVN2120GTA
生产厂商:

diodes, inc

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 4SOT-223
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 200 V
最大连续漏极电流 0.32 A
RDS -于 10000@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 8(Max) ns
典型关闭延迟时间 20(Max) ns
典型下降时间 12(Max) ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
Package Width 3.7(Max)
PCB 3
最大功率耗散 2000
最大漏源电压 200
欧盟RoHS指令 Compliant
Maximum Drain Source Resistance 10000@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-223
标准包装名称 SOT-223
最高工作温度 150
渠道类型 N
Package Length 6.7(Max)
引脚数 4
Package Height 1.65(Max)
最大连续漏极电流 0.32
封装 Tape and Reel
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
单位包 1000
最小起订量 1000
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 320mA (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 1mA
供应商设备封装 SOT-223
其他名称 ZVN2120GTR
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 10 Ohm @ 250mA, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2W
漏极至源极电压(Vdss) 200V
输入电容(Ciss ) @ VDS 85pF @ 25V
封装/外壳 TO-261-4, TO-261AA
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 1000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single Dual Drain
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 320 mA
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 10 Ohms
功率耗散 2 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 SOT-223
上升时间 8 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 200 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 12 ns
栅源电压(最大值) �20 V
漏源导通电阻 10 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-223
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 200 V
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :320mA
Drain Source Voltage Vds :200V
On Resistance Rds(on) :10ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
功耗 :2W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-223
No. of Pins :4
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (16-Dec-2013)
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Weight (kg) 0.000112
Tariff No. 85412900

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