diodes, inc
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3SOT-23 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 50 V |
| 最大连续漏极电流 | 0.16 A |
| RDS -于 | 4000@4V mOhm |
| 最大门源电压 | ±12 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 标准包装 | Cut Tape |
| 最大门源电压 | ±12 |
| Package Width | 1.3 |
| PCB | 3 |
| 筛选等级 | Commercial |
| 最大功率耗散 | 200 |
| 最大漏源电压 | 50 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 4000@4V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 2.9 |
| 引脚数 | 3 |
| Package Height | 1 |
| 最大连续漏极电流 | 0.16 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 160mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | SOT-523 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 4 Ohm @ 100mA, 4V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 200mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 50V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 25pF @ 10V |
| 封装/外壳 | SOT-523 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | DMN55D0UTDICT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 12 V |
| 连续漏极电流 | 0.16 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 4000 mOhms at 4 V |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 50 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 50 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 160 mA |
| 长度 | 1.6 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 4 Ohms |
| 系列 | DMN55 |
| 身高 | 0.75 mm |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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