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厂商型号:

DMN2004WK-7

芯天下内部编号:
110-DMN2004WK-7
生产厂商:

diodes, inc

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3SOT-323
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 0.54 A
RDS -于 550@4.5V mOhm
最大门源电压 ±8 V
工作温度 -65 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
产品种类 MOSFET
RoHS In Transition
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 20 V
源极击穿电压 +/- 8 V
连续漏极电流 0.54 A
抗漏源极RDS ( ON) 550 mOhms at 4.5 V
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 SOT-323-3
封装 Reel
最低工作温度 - 65 C
功率耗散 200 mW
工厂包装数量 3000
最大门源电压 ±8
包装宽度 1.3
PCB 3
最大功率耗散 200
最大漏源电压 20
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 550@4.5V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -65
供应商封装形式 SOT-323
标准包装名称 SC-70
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 2.15
引脚数 3
包装高度 1
最大连续漏极电流 0.54
铅形状 Gull-wing
P( TOT ) 0.2W
匹配代码 DMN2004WK
单位包 3000
标准的提前期 11 weeks
最小起订量 1
极化 N-CHANNEL
无铅Defin RoHS-conform
我(D ) 1.5A
V( DS ) 20V
R( DS上) 0.4Ohm
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 540mA (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1V @ 250µA
供应商设备封装 SOT-323
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 550 mOhm @ 540mA, 4.5V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 200mW
漏极至源极电压(Vdss) 20V
输入电容(Ciss ) @ VDS 150pF @ 16V
封装/外壳 SC-70, SOT-323
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 DMN2004WKDICT
RDS(ON) 550 mOhms at 4.5 V

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