Diodes Inc
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 单位包 | 50 |
| 最小起订量 | 450 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220-3 |
| 其他名称 | DMG4N65CTDI |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 3 Ohm @ 2A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.19W |
| 标准包装 | 50 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 650V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 900pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 13.5nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 漏源极电压 (Vdss) | 650V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 900pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 13.5nC @ 10V |
| FET 功能 | Standard |
| FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 功率 - 最大值 | 2.19W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Qg - Gate Charge | 13.5 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| 下降时间 | 16 ns |
| 安装风格 | Through Hole |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 通道数 | 1 Channel |
| 配置 | 1 N-Channel |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 4 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.1 Ohms |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 通道模式 | Enhancement |
| 系列 | DMG4N65 |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 2.19 W |
| 上升时间 | 13.8 ns |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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