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数量:1918 |
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规格书 |
DCX (LO-R1) U |
文档 |
Green Encapsulate Change 09/July/2007 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
产品更改通知 | Encapsulate Change 09/July/2007 |
标准包装 | 3,000 |
晶体管类型 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
电阻 - 基地(R1)(欧姆) | 220 |
电阻器 - 发射基地(R2)(欧姆) | 10k |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 56 @ 10mA, 5V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 300mV @ 250µA, 5mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
频率转换 | 200MHz |
功率 - 最大 | 200mW |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
供应商器件封装 | SOT-363 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
供应商封装形式 | SOT-363 |
标准包装名称 | SOT-26 |
最小直流电流增益 | 56@10mA@5V |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
最低工作温度 | -55 |
包装高度 | 1(Max) |
典型输入电阻 | 0.22 |
最大功率耗散 | 200 |
封装 | Tape and Reel |
Maximum Continuous DC Collector Current | 100 |
包装宽度 | 1.35(Max) |
安装 | Surface Mount |
PCB | 6 |
包装长度 | 2.2(Max) |
典型电阻器比率 | 0.022 |
配置 | Dual |
类型 | NPN|PNP |
引脚数 | 6 |
铅形状 | Gull-wing |
单位包 | 0 |
最小起订量 | 1 |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 100mA |
晶体管类型 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
频率 - 转换 | 200MHz |
电阻器 - 基( R1 ) (欧姆) | 220 |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 300mV @ 250µA, 5mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
供应商设备封装 | SOT-363 |
电阻器 - 发射极基( R 2 ) (欧姆) | 10k |
功率 - 最大 | 200mW |
标准包装 | 3,000 |
封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
安装类型 | Surface Mount |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 56 @ 10mA, 5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 3000 |
产品种类 | Transistors Switching - Resistor Biased |
晶体管极性 | NPN/PNP |
典型输入电阻 | 0.22 KOhms |
直流集电极/增益hfe最小值 | 56 |
安装风格 | SMD/SMT |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 50 V |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
最低工作温度 | - 55 C |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
频率 - 跃迁 | 200MHz |
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) | 300mV @ 250µA, 5mA |
晶体管类型 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 220 |
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 56 @ 10mA, 5V |
偏置电阻系列 | R1≠R2 |
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 10k |
功率 - 最大值 | 200mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
系列 | DCX122 |
身高 | 1 mm |
长度 | 2.2 mm |
通道数 | 2 Channel |
品牌 | Diodes Incorporated |
连续集电极电流 | 100 mA |
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