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ThunderFET®

Vishay/Siliconix 推出品种齐全、采用工业标准封装的 80 V 和 100 V ThunderFET。

Vishay/Siliconix ThunderFET® 设计用来在高密度电源中实现出色的效率,同时兼容所有常见的 MOSFET 控制电路。

这一独特的设计特性使得用户可以轻松选择器件,而无需顾虑所用 MOSFET 栅极驱动器的类型。 从技术角度看,ThunderFET® 可在最低 4.5 V 的栅极电压下提供最低的导通损耗,而不会增加栅极驱动器的开关损耗。

特性:

●5 V 逻辑电平,可降低栅极驱动器功率损耗

●低 CDSS "A" 版,改善大约 40%

●RDS(ON) 比 TrenchFET 降低 60% 以上

●QGO 比 TrenchFET 降低多达 50% (RDS(ON) 相似时)

应用:

●电信模块

●服务器同步整流

●POE(以太网供电)

●再生能源

●电机控制和驱动

●电信 DC-DC

●离线 UPSDC-AC 逆变器

●LED 照明用升压转换器

芯天下提供几乎所有ThunderFET®系列产品。

 

ThunderFET®

型号描述
SiS892DN-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 1212-8 PPAK
SiR880DP-T1-GE3MOSFET N-CH D-S 80V 8-SOIC
SIR826DP-T1-GE3MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAK
SiR878ADP-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 40A POWERPAK
SiR870ADP-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAK
SiR846DP-T1-GE3MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC
SiR882ADP-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAK
SiR804DP-T1-GE3MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC
Si4190DY-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 8-SOIC

By : sally