Vishay/Siliconix 推出品种齐全、采用工业标准封装的 80 V 和 100 V ThunderFET。
Vishay/Siliconix ThunderFET® 设计用来在高密度电源中实现出色的效率,同时兼容所有常见的 MOSFET 控制电路。
这一独特的设计特性使得用户可以轻松选择器件,而无需顾虑所用 MOSFET 栅极驱动器的类型。 从技术角度看,ThunderFET® 可在最低 4.5 V 的栅极电压下提供最低的导通损耗,而不会增加栅极驱动器的开关损耗。
特性:
●5 V 逻辑电平,可降低栅极驱动器功率损耗 ●低 CDSS "A" 版,改善大约 40% ●RDS(ON) 比 TrenchFET 降低 60% 以上 ●QGO 比 TrenchFET 降低多达 50% (RDS(ON) 相似时)应用:
●电信模块 ●服务器同步整流 ●POE(以太网供电) ●再生能源 ●电机控制和驱动 ●电信 DC-DC ●离线 UPSDC-AC 逆变器 ●LED 照明用升压转换器芯天下提供几乎所有ThunderFET®系列产品。
型号 | 描述 |
---|---|
SiS892DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 1212-8 PPAK |
SiR880DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 80V 8-SOIC |
SIR826DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAK |
SiR878ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 40A POWERPAK |
SiR870ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAK |
SiR846DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC |
SiR882ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAK |
SiR804DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC |
Si4190DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 8-SOIC |
By : sally